2015年2月6日 – 英飛凌科技股份公司（FSE：IFX/ OTCQX：IFNNY）近日推出新型低飽和壓降VCE(sat) IGBT。此類IGBT 專門針對 50Hz 至20kHz 的低開關頻率范圍進行了優化。這個范圍的開關頻率常見于不間斷電源 (UPS) 以及光伏逆變器和逆變焊機中。新 L5 系列基于 TRENCHSTOP™5 薄晶片技術，使本來就很低的導通損耗因為載流子結構的優化得到了進一步降低。

憑借 25°C時典型飽和壓降 (VCE(sat)) 為1.05 V的傲人成績，此類新型 IGBT成功地將效率水平提升到一個新的高度 —— 用 L5 系列代替它的前輩 TRENCHSTOP IGBT，使效率在NPC1拓撲中提升高達 0.1％，在 NPC 2 拓撲中提升 0.3％。再加上VCE(sat)的溫度系數為正，保持高效率的同時還能直接并聯——樹立了20kHz 以下頻率的IGBT的行業標桿。鑄造新 L5系列靈魂的 TRENCHSTOP5技術，不但能提供無與倫比的低傳導損耗，還能將25℃時的總開關損耗降至1.6 mJ。綜上所述，在低開關頻率應用場合使用英飛凌新推出的低飽和壓降 IGBT 能提升效率，增加可靠性并且縮小系統的尺寸。

第一波面世的新L5 IGBT系列采用業界標準的TO-2473針封裝技術。此外，為了滿足需要進一步增強效率的應用場合，英飛凌還提供 TO-247 4針開爾文-發射極封裝版（Kelvin-Emitter package）的 L5 IGBT。與標準的 TO-247 3針封裝版相比，TO-247 4針封裝版的開關損耗減少了 20％。因此，L5與TO-247 4針封裝的結合，不但創造了終極版低傳導能耗和低開關損耗成績，還幫助英飛凌鞏固了在為高功率市場提供高度創新并且與眾不同的產品方面的領先地位。

配置規格

新型低飽和壓降L5系列有30A和75A兩種規格，一種是單IGBT形式，另一種則合裝有英飛凌的超快Rapid 1和Rapid 2硅二極管。TO-247 4針開爾文-發射極封裝版有75A規格。